FL 9BW 长曝光制冷CMOS相机

15.96 mm (1″)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

分类：科研级CMOS

描述

产品介绍

FL 9BW 是鑫图针对长曝光应用开发的新一代深度制冷CMOS相机。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技术和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷CCD的水平，还同时具有现代CMOS高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以完全替代制冷CCD长曝光应用。

<0.0005 e-/p/s暗电流
可替代冷CCD长曝光应用

FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
背景均一
定量分析更精准

FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片
综合成像性能优越

FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。

技术参数 >

型号:FL 9BW
芯片类型:BSI CMOS
芯片型号:SONY IMX533CLK-D
彩色 / 黑白:黑白
对角线尺寸:15.96 mm (1″)
有效面积:11.28 mm × 11.28 mm
像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
分辨率:3000 x 3000, 9 MP
峰值量子效率:92 % @ 540 nm
暗电流:< 0.0005 e-/p/s
增益模式:Gain 0 – 高满阱；Gain 1 – 平衡；Gain 2 – 高灵敏1；Gain 3 – 高灵敏2；
满阱容量:Gain 0：47ke- @ bin1，binning 后＞180ke-；
Gain 1：16ke- @ bin1，binning 后 > 64ke-；
Gain 2：8ke- @ bin1，14 bit binning 后 >32ke-；
Gain 3：3ke- @ bin1，14 bit binning 后 >12ke-；
读出模式:Standard，Low-Noise
读出噪声（标准读出）:3.2e- @ Gain 0；1.2 e- @ Gain 1； 1.0 e- @ Gain 2；0.95 e- @ Gain 3
读出噪声（低噪声读出）:2.5e- @ Gain 0；1.0 e- @ Gain 1； 0.9 e- @ Gain 2；0.85 e- @ Gain 3
帧率:19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
快门类型:卷帘
曝光时间:15 μs ~ 60 min
图像校正:DDFC，DPC
ROI:支持
Binning:2；3；4；6；8；12；16；24
制冷方式:风冷
制冷温度:-25 ℃ @ 室温（22℃）
触发模式:硬件，软件
软件:Mosaic, SamplePro, LabVIEW, MATLAB, Micromanager
触发输出:曝光开始，全局，读出结束，高电平，低电平
触发接口:Hirose
SDK:C，C++，C#
数据接口:USB 3.0
光学接口:C-Mount，支持定制
位深:14 bit, 16 bit
电源:12 V / 6 A
功耗:≤ 40 W
相机尺寸:76 mm x 76 mm x 98.5 mm
重量:835 g
操作系统:Windows / Linux
操作环境:工作：温度 0~40 °C, 湿度 10~85 %
储存：温度 -10~60 ℃, 湿度 0~85 %

FL 9BW 长曝光制冷CMOS相机

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<0.0005 e-/p/s暗电流 可替代冷CCD长曝光应用

背景均一 定量分析更精准

SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越

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可替代冷CCD长曝光应用

背景均一
定量分析更精准

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